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如何區(qū)別DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存條?

作者:點(diǎn)心 日期:2017-05-22

  隨著年代的推移,內(nèi)存條的制造技術(shù)也在不斷的攀升,DDR/DDR2/DDR3內(nèi)存條“朝代”也在新老更替,而這個(gè)過(guò)程并沒(méi)有結(jié)束,現(xiàn)有的DDR4和DDR5內(nèi)存條,也正在不斷創(chuàng)造普及條件,如果你不明白如何區(qū)別DDR1/DDR2/DDR3內(nèi)存條,可以閱讀下文了解DDR、DDR2和DDR3之間的區(qū)別和分辨方法。

如何區(qū)別DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存條?

  科技在進(jìn)步,當(dāng)然內(nèi)存條的生產(chǎn)技術(shù)也在發(fā)展,這就導(dǎo)致了DDR1、DDR2、DDR3內(nèi)存條的產(chǎn)生,各代差別如下:

  ddr 1,2,3代內(nèi)存的外觀區(qū)別

  DDR1:

  一個(gè)缺口、單面92針腳、雙面184針腳、左52右40、內(nèi)存顆粒長(zhǎng)方形。

  DDR2:

  一個(gè)缺口、單面120針腳、雙面240針腳、左64右56、內(nèi)存顆粒正方形、電壓1.8V。

  DDR3:

  一個(gè)缺口、單面120針腳、雙面240針腳、左72右48、內(nèi)存顆粒正方形、電壓1.5V。

  其工作電壓一直在降低,因此在性能提升的同時(shí),功耗也在逐漸變小。

  至于說(shuō)到主板上的插槽,三者都不一樣,在內(nèi)存接口上有一個(gè)小缺口,DDR DDR2 DDR3內(nèi)存的每種內(nèi)存的接口都不會(huì)同一位置,因此只能插在購(gòu)買時(shí)得先看好主板上插槽支持那種內(nèi)存再進(jìn)行購(gòu)買內(nèi)存。而且這三種內(nèi)存條是不能兼容。

如何區(qū)別DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存條?

  DDR DDR2 DDR3在內(nèi)存容量上的區(qū)別

  現(xiàn)在家用電腦誰(shuí)不是2G的?8G以上的都不少見(jiàn)吧?一些游戲玩家最低要求都是4G吧?如果這事放在零幾年那時(shí)誰(shuí)信?

  DDR1最小的內(nèi)存只有64M最大的也只有1G的容量,2代的DDR 最少的是256M最大的都已經(jīng)是4M了。當(dāng)然DDR2 4G用的人少一般常見(jiàn)的都是1Gx2這樣使用的。而DDR3現(xiàn)在最小的都是512M最大的都已經(jīng)是8G了。一般都是4Gx2這樣使用?;蛘?Gx2這樣使用。

如何區(qū)別DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存條?

  DDR DDR2 DDR3在封裝區(qū)別

  早期的DDR封閉顆粒是TSOP,而從DDR2和DDR3開(kāi)始使用FBGA封裝,而DDR2使用的是8bit芯片使用60球/68球/84球FBGA封裝三種規(guī)格,而DDR3采用的是16bit芯片使用96球FBGA封裝,而且DDR3必須是綠色封裝,不能包含任何有害的物質(zhì)。

  參考電壓分成兩個(gè)在DDR3系統(tǒng)中,對(duì)于內(nèi)存系統(tǒng)工作非常重要的參考電壓信號(hào)VREF將分為兩個(gè)信號(hào),即為命令與地址信號(hào)服務(wù)的VREFCA和為數(shù)據(jù)總線服務(wù)的VREFDQ,這將有效地提高系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的信噪等級(jí)。

如何區(qū)別DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存條?

  DDR DDR2 DDR3在突發(fā)長(zhǎng)度(BurstLength,BL)

  由于DDR3的預(yù)取為8bit,所以突發(fā)傳輸周期(BurstLength,BL)也固定為8,平而DDR的傳輸周期是2,而DDR2是4。

  DDR DDR2 DDR3在邏輯Bank數(shù)量上的區(qū)別

  DDR中有2個(gè)Bank和4個(gè)Bank。DDR2有4個(gè)Bank和8個(gè)Bank。而到DDR3的時(shí)候已經(jīng)是8個(gè)Bank和16個(gè)Bank了。目前就是應(yīng)對(duì)未來(lái)大容量芯片的要求,而DDR3很可能將從2G起步,因此邏輯Bank就是8個(gè),另外還為未來(lái)的16邏輯Bank做好了準(zhǔn)備。

  DDR DDR2 DDR3的尋址時(shí)序區(qū)別(Timing)

  延遲周期數(shù)從DDR一代到二代再到三代內(nèi)存一加一直在增加,三代內(nèi)存的CL周期也將比二代內(nèi)存有相應(yīng)的提高。二代內(nèi)存的CL范圍一般在2到5之間,而二代內(nèi)存已經(jīng)增加到5到11之間,并且三代內(nèi)存延遲(AL)的設(shè)計(jì)也有所變化。二代內(nèi)存時(shí)AL的范圍是0到4,而三代內(nèi)存時(shí)AL有三種選項(xiàng),分別是0、CL-1和CL-2。另外,三代內(nèi)存還新增加了一個(gè)時(shí)序參數(shù)-寫入延遲。

  相對(duì)于DDR DDR2,DDR3新增的功能

  DDR新增加重置功能, 新增加的重置是DDR3一項(xiàng)重要功能,并且為此功能還專門準(zhǔn)備了一個(gè)引腳。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡(jiǎn)單。當(dāng)Reset命令有效時(shí),DDR3內(nèi)存將停止所有操作,并切換至最少量活動(dòng)狀態(tài),以節(jié)約電力。

  DDR3新增ZQ校準(zhǔn)功能,ZQ也是一個(gè)新增的腳,在這個(gè)引腳上接有一個(gè)240歐姆的低公差參考電阻。這個(gè)引腳通過(guò)一個(gè)命令集,通過(guò)片上校準(zhǔn)引擎(On-DieCalibrationEngine,ODCE)來(lái)自動(dòng)校驗(yàn)數(shù)據(jù)輸出驅(qū)動(dòng)器導(dǎo)通電阻與ODT的終結(jié)電阻值。當(dāng)系統(tǒng)發(fā)出這一指令后,將用相應(yīng)的時(shí)鐘周期(在加電與初始化之后用512個(gè)時(shí)鐘周期,在退出自刷新操作后用256個(gè)時(shí)鐘周期、在其他情況下用64個(gè)時(shí)鐘周期)對(duì)導(dǎo)通電阻和ODT電阻進(jìn)行重新校準(zhǔn)。

  以上便是關(guān)于DDR、DDR2和DDR3之間的區(qū)別和分辨方法,當(dāng)然用戶若是沒(méi)有實(shí)際測(cè)量工具,可以使用第三方軟件進(jìn)行檢測(cè),但檢測(cè)信息并非絕對(duì)正確的。

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